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[導讀]汽車動力系統的電氣化和電動化,是交通領域實現碳中和的必由之路,作為半導體企業的士蘭微電子將會致力於推動在交通領域實現碳中和的終極目標。

隨着社會的發展,人們愈來愈意識到能源緊缺和環境污染問題日益嚴重,對於多樣化及零污染新能源的需求日漸緊迫。

汽車動力系統的電氣化和電動化,是交通領域實現碳中和的必由之路,作為半導體企業的士蘭微電子將會致力於推動在交通領域實現碳中和的終極目標。

2021年6月25日,士蘭微電子參加了在嘉善舉行的“第四屆中國國際新能源汽車功率半導體市場與關鍵技術論壇(PSiC2021)”,與來自整車、電驅動、功率半導體等產業鏈上下游400餘名工程師一起探討新能源車用功率器件的未來。

士蘭可提供多樣化的汽車級IGBT模塊及分立式器件,搭載士蘭自主研發最新五代IGBT和陽極發射效率控制FRD技術芯片,為混合動力汽車及電動汽車設計提供支持。

士蘭汽車產品彙總

其中B系列模塊拓展了混合動力汽車和電動汽車的IGBT模塊的功率區間。該系列產品提供基於多種封裝的不同版本,從而實現了電壓及功率等級拓展性的最大化,涵蓋了270 A至1200 A以及650 V至1200 V規格範圍。

B1模塊

士蘭 B1系列模塊是一款符合汽車標準的模塊,滿足車規級認證,適用於30-60kW的電動汽車。該模塊以150℃工作結温設計,配備士蘭微Trench-Field-Stop IGBT4芯片和匹配的士蘭FRD芯片。

基於士蘭在IGBT功率模塊開發的長期經驗,對新材料和封裝技術的研究成果,高質量的自動化產線管控,B1模塊具備超低的導通損耗以及優異的短路能力;可以使用風冷或者水冷進行散熱;使用銅基板、高性能Al2O3陶瓷基板同引線鍵合工藝的高度結合,為混動汽車和純電汽車的逆變器提供出色的熱循環和温度循環能力,保證了系統的最高可靠性。

產品特點:

採用士蘭Trench-Field-Stop IGBT4芯片

多芯片並聯,低損耗IGBT

使用低熱阻三氧化二鋁陶瓷基板

集成NTC温度傳感器

低VCE(sat)同時具備正温度係數

絕緣級別:DC 4200Vrms/sec

B3模塊

士蘭 B3系列模塊是一款符合汽車標準的模塊,滿足車規級認證,適用於80-220KW的電動汽車應用。該模塊以150℃工作結温設計,配備士蘭微Trench-Field-Stop IGBT5芯片和匹配的士蘭FRD芯片。

該系列模塊是士蘭微電子基於自主研發的高密度溝槽工藝IGBT芯片技術開發的六單元拓撲模塊;該模塊適用於混動和純電動汽車等應用領域,具有高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級,為嚴苛環境條件下的逆變器運行,提供更可靠的保障。

產品特點:

基於精細溝槽的FS-V技術,阻斷電壓達750V

多芯片並聯,低損耗IGBT

根據不同功率等級搭配不同基板與DBC方案

每相內置NTC熱敏電阻

低VCE(sat)同時具備正温度係數

絕緣級別:DC 4200Vrms/sec

士蘭微電子設計、開發、製造並銷售各種半導體和系統解決方案,其業務重點包括汽車電子、工業電子和硬件的安全解決方案等。

士蘭微電子實現交通領域零排放為己任,將業務成功與社會責任結合在一起,致力於讓人們的生活更加便利、安全和環保。

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